IPP12CN10LGXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 49.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP12CN10LGXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP12CN10LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.84V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP12CN10LGXKSA1 за ціною від 57.17 грн до 185.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 |
на замовлення 214000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2 |
на замовлення 1326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP12CN10LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.84V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; 125W; PG-TO220-3 Mounting: THT Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 12mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 69A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 125W |
товару немає в наявності |