IPP139N08N3G Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP139N08N3G Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IPP139N08N3G за ціною від 58.31 грн до 61.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP139N08N3G | Infineon Technologies |
IPP139N08N3G |
на замовлення 11441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| IPP139N08N3G | Infineon Technologies |
IPP139N08N3G |
на замовлення 3911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| IPP139N08N3G | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP139N08N3G - IPP139N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORtariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 477 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP139N08N3G |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IPP139N08N3G
IPP139N08N3G
на замовлення 11441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 572+ | 61.74 грн |
| 1000+ | 58.31 грн |
| IPP139N08N3G |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IPP139N08N3G
IPP139N08N3G
на замовлення 3911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 572+ | 61.74 грн |
| 1000+ | 58.31 грн |
| IPP139N08N3G |
![]() |
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP139N08N3G - IPP139N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP139N08N3G - IPP139N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


