Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP139N08N3GXKSA1
IPP139N08N3GXKSA1

IPP139N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

INFN-S-A0001299567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
632+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP139N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP139N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0118 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 45, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 79, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPP139N08N3GXKSA1 за ціною від 61.74 грн до 61.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP139N08N3GXKSA1 IPP139N08N3GXKSA1 Infineon Technologies dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4624fb7fef.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
572+61.74 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP139N08N3GXKSA1 IPP139N08N3GXKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0001299567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP139N08N3GXKSA1 - IPP139N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP139N08N3GXKSA1 dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4624fb7fef.pdf
IPP139N08N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
572+61.74 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP139N08N3GXKSA1 INFN-S-A0001299567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP139N08N3GXKSA1
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP139N08N3GXKSA1 - IPP139N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.