IPP147N12N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 47.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP147N12N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP147N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP147N12N3GXKSA1 за ціною від 40.18 грн до 147.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP147N12N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3 Mounting: THT Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 14.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 56A Drain-source voltage: 120V Power dissipation: 107W |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP147N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V |
на замовлення 13495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP147N12N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3 Mounting: THT Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 14.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 56A Drain-source voltage: 120V Power dissipation: 107W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP147N12N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP147N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP147N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |