Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP17N25S3100AKSA1
IPP17N25S3100AKSA1

IPP17N25S3100AKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+106.05 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP17N25S3100AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP17N25S3100AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP17N25S3100AKSA1 за ціною від 129.33 грн до 156.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Mounting: THT
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T
Drain current: 13.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.1Ω
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.80 грн
4+138.75 грн
10+129.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_B17N25S3_100_DS_v01_01_EN-1731950.pdf MOSFET N-Ch 250V 17A TO220-3
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Description: INFINEON - IPP17N25S3100AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPP17N25S3100AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Mounting: THT
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T
Drain current: 13.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.1Ω
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.80 грн
4+138.75 грн
10+129.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon_IPP_B17N25S3_100_DS_v01_01_EN-1731950.pdf
IPP17N25S3100AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 250V 17A TO220-3
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPP17N25S3100AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP17N25S3100AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.