IPP17N25S3100AKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP17N25S3100AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPP17N25S3100AKSA1 за ціною від 87.40 грн до 225.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP17N25S3100AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 13.3A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 107W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T |
на замовлення 482 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP17N25S3100AKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 250V 17A TO220-3 |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPP17N25S3100AKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.32 грн |
| 4+ | 137.44 грн |
| 10+ | 129.81 грн |
| IPP17N25S3100AKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 250V 17A TO220-3
MOSFET N-Ch 250V 17A TO220-3
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.31 грн |
| 10+ | 184.81 грн |
| 100+ | 127.57 грн |
| 250+ | 117.71 грн |
| 500+ | 107.13 грн |
| 1000+ | 91.63 грн |
| 2500+ | 87.40 грн |