Технічний опис IPP200N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPP200N15N3GXKSA1 за ціною від 74.27 грн до 241.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP200N15N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 50A On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 150W Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 402 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP200N15N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V |
на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 77 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 77 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP200N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 94+ | 151.28 грн |
| IPP200N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 154.02 грн |
| 50+ | 152.48 грн |
| 100+ | 139.35 грн |
| IPP200N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 92+ | 154.02 грн |
| 93+ | 152.48 грн |
| 102+ | 139.35 грн |
| IPP200N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 209+ | 169.72 грн |
| 500+ | 153.22 грн |
| 1000+ | 141.44 грн |
| IPP200N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 206.49 грн |
| 10+ | 100.96 грн |
| 50+ | 84.84 грн |
| IPP200N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 235.18 грн |
| 10+ | 131.57 грн |
| 100+ | 112.65 грн |
| 500+ | 86.28 грн |
| 1000+ | 74.71 грн |
| IPP200N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.05 грн |
| 50+ | 116.35 грн |
| 100+ | 105.13 грн |
| 500+ | 80.20 грн |
| 1000+ | 74.27 грн |
| IPP200N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP200N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






