IPP200N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP200N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP200N15N3GXKSA1 за ціною від 57.80 грн до 216.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V |
на замовлення 4312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 50A Power dissipation: 150W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 50A Power dissipation: 150W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 2626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IPP200N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |