IPP200N25N3G Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 891.36 грн |
| 25+ | 850.21 грн |
| 50+ | 816.00 грн |
| 100+ | 759.11 грн |
| 250+ | 681.08 грн |
| 500+ | 635.92 грн |
| 1000+ | 620.49 грн |
| 2500+ | 607.10 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
16 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP200N25N3G Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; Idm: 256A; 300W; TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 64A, Power dissipation: 300W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 256A, Semiconductor structure: single transistor.
Інші пропозиції IPP200N25N3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP200N25N3 G | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP200N25N3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)