IPP200N25N3G Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 889.38 грн |
| 25+ | 848.32 грн |
| 50+ | 814.18 грн |
| 100+ | 757.42 грн |
| 250+ | 679.56 грн |
| 500+ | 634.51 грн |
| 1000+ | 619.11 грн |
| 2500+ | 605.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP200N25N3G Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; Idm: 256A; 300W; TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 64A, Power dissipation: 300W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 256A, Semiconductor structure: single transistor.
Інші пропозиції IPP200N25N3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP200N25N3 G | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP200N25N3 G | Infineon |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IPP200N25N3G | Infineon technologies |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP200N25N3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP200N25N3 G |
Виробник: Infineon
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IPP200N25N3G |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)