IPP200N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 303.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP200N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.0175 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP200N25N3GXKSA1 за ціною від 190.85 грн до 924.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
на замовлення 5486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.0175 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP200N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP200N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP200N25N3GXKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IPP200N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPP200N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |