Технічний опис IPP200N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP200N25N3GXKSA1 за ціною від 158.22 грн до 504.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 64A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 457 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 345.12 грн |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 418.63 грн |
| 50+ | 407.66 грн |
| 100+ | 372.17 грн |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 418.80 грн |
| 50+ | 388.21 грн |
| 100+ | 357.20 грн |
| 500+ | 286.18 грн |
| 1000+ | 251.08 грн |
| 2000+ | 239.93 грн |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 421.38 грн |
| 50+ | 390.60 грн |
| 100+ | 359.39 грн |
| 500+ | 287.94 грн |
| 1000+ | 252.63 грн |
| 2000+ | 241.41 грн |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 457.99 грн |
| 50+ | 234.61 грн |
| 100+ | 214.68 грн |
| 500+ | 168.73 грн |
| 1000+ | 158.22 грн |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 504.66 грн |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)