Технічний опис IPP200N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.
Інші пропозиції IPP200N25N3GXKSA1 за ціною від 170.63 грн до 519.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3 On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 64A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPP200N25N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 457 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 347.44 грн |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 421.45 грн |
| 50+ | 410.41 грн |
| 100+ | 374.67 грн |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 421.62 грн |
| 50+ | 390.82 грн |
| 100+ | 359.60 грн |
| 500+ | 288.11 грн |
| 1000+ | 252.77 грн |
| 2000+ | 241.55 грн |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 424.21 грн |
| 50+ | 393.23 грн |
| 100+ | 361.81 грн |
| 500+ | 289.88 грн |
| 1000+ | 254.33 грн |
| 2000+ | 243.03 грн |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 465.45 грн |
| 10+ | 300.84 грн |
| 50+ | 237.70 грн |
| 100+ | 204.01 грн |
| 500+ | 170.63 грн |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 519.87 грн |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP200N25N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)