IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 115.49 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.
Інші пропозиції IPP320N20N3GXKSA1 за ціною від 80.63 грн до 305.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 13554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
на замовлення 19440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3 Mounting: THT Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 34A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 200V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 32mΩ |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 13560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 115.49 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 123+ | 119.43 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 165.21 грн |
| 10+ | 122.55 грн |
| 50+ | 121.32 грн |
| 100+ | 111.69 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 89+ | 165.21 грн |
| 120+ | 122.55 грн |
| 121+ | 121.32 грн |
| 127+ | 111.69 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 19440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 245.08 грн |
| 10+ | 152.99 грн |
| 50+ | 117.46 грн |
| 100+ | 99.48 грн |
| 500+ | 80.63 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 32mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 32mΩ
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 245.40 грн |
| 3+ | 198.55 грн |
| 5+ | 197.72 грн |
| 10+ | 187.66 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 290.93 грн |
| 92+ | 160.16 грн |
| 93+ | 158.57 грн |
| 101+ | 140.27 грн |
| 500+ | 125.18 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 293.30 грн |
| 10+ | 161.47 грн |
| 50+ | 159.86 грн |
| 100+ | 141.41 грн |
| 500+ | 126.20 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 305.15 грн |
| 10+ | 162.21 грн |
| 50+ | 160.59 грн |
| 100+ | 141.52 грн |
| 500+ | 108.85 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






