Технічний опис IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.
Інші пропозиції IPP320N20N3GXKSA1 за ціною від 64.91 грн до 229.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 15304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 15310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 34A Power dissipation: 136W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
на замовлення 2818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IPP320N20N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 114.85 грн |
| 1000+ | 106.36 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 114.85 грн |
| 1000+ | 106.36 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 120+ | 118.65 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 118.85 грн |
| 50+ | 117.66 грн |
| 100+ | 112.33 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 154.55 грн |
| 50+ | 153.01 грн |
| 100+ | 139.84 грн |
| 500+ | 112.01 грн |
| 1000+ | 96.07 грн |
| 2000+ | 81.83 грн |
| 5000+ | 79.47 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 156.71 грн |
| 50+ | 155.15 грн |
| 100+ | 142.40 грн |
| 500+ | 128.87 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 156.71 грн |
| 92+ | 155.15 грн |
| 100+ | 142.40 грн |
| 500+ | 128.87 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 178.66 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 229.11 грн |
| 50+ | 109.71 грн |
| 100+ | 99.02 грн |
| 500+ | 75.32 грн |
| 1000+ | 69.66 грн |
| 2000+ | 64.91 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP320N20N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







