IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 167.30 грн |
| 50+ | 163.23 грн |
| 100+ | 156.23 грн |
| 500+ | 140.81 грн |
| 1000+ | 123.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP320N20N3GXKSA1 за ціною від 72.43 грн до 338.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 10964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP320N20N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 136W Drain current: 34A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
на замовлення 11513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 7821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 5580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IPP320N20N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 168.61 грн |
| 86+ | 164.51 грн |
| 100+ | 157.46 грн |
| 500+ | 141.92 грн |
| 1000+ | 124.27 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 169.03 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 136W
Drain current: 34A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 136W
Drain current: 34A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 198.67 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 11513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 277.87 грн |
| 50+ | 133.98 грн |
| 100+ | 121.09 грн |
| 500+ | 92.40 грн |
| 1000+ | 85.58 грн |
| 2000+ | 79.84 грн |
| 5000+ | 72.43 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 338.35 грн |
| 47+ | 304.40 грн |
| 82+ | 173.27 грн |
| 100+ | 163.70 грн |
| 1000+ | 136.94 грн |
| IPP320N20N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 5580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP320N20N3GXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP320N20N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)