IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 6464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP320N20N3GXKSA1 за ціною від 78.48 грн до 313.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP320N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 10964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 10964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP320N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 5425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP320N20N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP320N20N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3 Case: PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 200V Drain current: 34A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP320N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 7821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3 Case: PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 200V Drain current: 34A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IPP320N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |