Інші пропозиції IPP330P10NMAKSA1 за ціною від 147.93 грн до 446.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP330P10NMAKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0271 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0271ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 177.20 грн |
| 1000+ | 170.74 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 177.20 грн |
| 1000+ | 170.74 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 180.53 грн |
| 50+ | 178.83 грн |
| 100+ | 171.39 грн |
| 500+ | 147.93 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 182.81 грн |
| 78+ | 181.09 грн |
| 100+ | 173.55 грн |
| 500+ | 149.80 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P Channel Power Mosfet
P Channel Power Mosfet
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 182.82 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P Channel Power Mosfet
P Channel Power Mosfet
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 207.79 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 164+ | 215.42 грн |
| 500+ | 204.88 грн |
| 1000+ | 193.17 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P Channel Power Mosfet
P Channel Power Mosfet
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 217.22 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 236.84 грн |
| 50+ | 234.44 грн |
| 100+ | 216.73 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 59+ | 238.48 грн |
| 60+ | 236.06 грн |
| 100+ | 218.23 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P Channel Power Mosfet
P Channel Power Mosfet
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 263.42 грн |
| 55+ | 259.91 грн |
| 200+ | 258.74 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P Channel Power Mosfet
P Channel Power Mosfet
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 133+ | 264.59 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 410.27 грн |
| 50+ | 207.42 грн |
| 100+ | 189.32 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 446.08 грн |
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP330P10NMAKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0271 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0271ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP330P10NMAKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0271 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0271ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP330P10NMAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






