
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 147.08 грн |
10+ | 145.57 грн |
25+ | 137.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP330P10NMAKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0271 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0271ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPP330P10NMAKSA1 за ціною від 132.92 грн до 396.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0271ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IPP330P10NMAKSA1 |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP330P10NMAKSA1 Код товару: 192733
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|