на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 77+ | 161.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP330P10NMAKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0271 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0271ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP330P10NMAKSA1 за ціною від 127.32 грн до 406.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 P Channel Power Mosfet |
на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP330P10NMAKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0271 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0271ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005343871 |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; 62A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 27.1mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 Код товару: 192733
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|