IPP339N20NM6AKSA1

IPP339N20NM6AKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPP339N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d327daa8a0f0a Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.16 грн
50+147.10 грн
100+141.47 грн
500+100.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP339N20NM6AKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP339N20NM6AKSA1 за ціною від 109.41 грн до 239.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP339N20NM6AKSA1 IPP339N20NM6AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP339N20NM6-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.34 грн
10+190.48 грн
25+151.20 грн
100+139.81 грн
250+132.97 грн
500+109.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP339N20NM6AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP339N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d327daa8a0f0a IPP339N20NM6AKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP339N20NM6AKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08FF23D71E2C740DF&compId=IPP339N20NM6AKSA1.pdf?ci_sign=4057157b92ec495c3abc4f63258d596f369be238 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15.9C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.