IPP339N20NM6AKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.09 грн |
| 50+ | 148.81 грн |
| 100+ | 143.11 грн |
| 500+ | 101.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP339N20NM6AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP339N20NM6AKSA1 за ціною від 109.97 грн до 240.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP339N20NM6AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP339N20NM6AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IPP339N20NM6AKSA1 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IPP339N20NM6AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 39A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 15.9C Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |