IPP410N30NAKSA1


Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b2b1f572e433b
Код товару: 177758
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP410N30NAKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP410N30NAKSA1 Infineon Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b2b1f572e433b MOSFET N-CH TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b2b1f572e433b Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs MV POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b2b1f572e433b
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b2b1f572e433b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MV POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.