Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP410N30NAKSA1
IPP410N30NAKSA1

IPP410N30NAKSA1 Infineon Technologies

101infineon-ipp410n30n-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624b0b249c014b2b1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP410N30NAKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP410N30NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP410N30NAKSA1 за ціною від 347.25 грн до 798.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies 101infineon-ipp410n30n-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624b0b249c014b2b1.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+618.39 грн
33+373.38 грн
100+347.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies 101infineon-ipp410n30n-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624b0b249c014b2b1.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+664.42 грн
25+401.18 грн
100+373.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC940FD466611C&compId=IPP410N30N-DTE.pdf?ci_sign=91131cadec2f63016d12e8ee56b378c8247df703 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 44A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+665.59 грн
2+595.83 грн
3+404.62 грн
7+382.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000792643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP410N30NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+739.07 грн
5+698.91 грн
10+657.90 грн
50+433.98 грн
100+383.02 грн
250+375.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies 101infineon-ipp410n30n-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624b0b249c014b2b1.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+756.46 грн
22+560.23 грн
50+529.73 грн
100+509.83 грн
200+470.25 грн
500+398.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC940FD466611C&compId=IPP410N30N-DTE.pdf?ci_sign=91131cadec2f63016d12e8ee56b378c8247df703 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 44A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+798.70 грн
2+742.50 грн
3+485.55 грн
7+458.89 грн
100+441.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1
Код товару: 177758
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b2b1f572e433b Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies 101infineon-ipp410n30n-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624b0b249c014b2b1.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies 101infineon-ipp410n30n-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624b0b249c014b2b1.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b2b1f572e433b Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs MV POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.