на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 169.28 грн |
| 10+ | 138.76 грн |
| 100+ | 96.22 грн |
| 250+ | 87.82 грн |
| 500+ | 80.19 грн |
| 1000+ | 68.96 грн |
| 2500+ | 65.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP50R190CE Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V, Power Dissipation (Max): 152W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP50R190CE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP50R190CE | Виробник : Infineon |
 |
на замовлення 113500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IPP50R190CE | Виробник : Infineon Technologies |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |