IPP50R190CEXKSA1 Infineon
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TIPP50r190ce
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 71.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP50R190CEXKSA1 Infineon
Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3, Power Dissipation (Max): 127W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA.
Інші пропозиції IPP50R190CEXKSA1 за ціною від 55.90 грн до 173.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3 Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPP50R190CEXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.65 грн |
| 50+ | 82.37 грн |
| 100+ | 74.09 грн |
| 500+ | 55.90 грн |