IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 73.89 грн |
| 1000+ | 73.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 127W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.
Інші пропозиції IPP50R190CEXKSA1 за ціною від 58.87 грн до 246.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 25110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 18159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP50R190CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 127W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18.5A Power dissipation: 127W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 669 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 500V 18.5A TO220-3 |
на замовлення 960 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 25116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP50R190CEXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 127W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP50R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 73.89 грн |
| 1000+ | 73.15 грн |
| IPP50R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 140+ | 104.79 грн |
| IPP50R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 278+ | 131.54 грн |
| 500+ | 118.39 грн |
| 1000+ | 109.18 грн |
| 10000+ | 93.87 грн |
| IPP50R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 278+ | 131.54 грн |
| 500+ | 118.39 грн |
| IPP50R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 131.56 грн |
| IPP50R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 127W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 127W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 127W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 127W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 669 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 179.54 грн |
| 10+ | 101.37 грн |
| 25+ | 89.64 грн |
| 50+ | 82.10 грн |
| 100+ | 75.40 грн |
| 250+ | 67.02 грн |
| 500+ | 62.00 грн |
| IPP50R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 198.88 грн |
| 10+ | 123.28 грн |
| 50+ | 94.08 грн |
| 100+ | 79.46 грн |
| 500+ | 63.97 грн |
| IPP50R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 500V 18.5A TO220-3
MOSFETs N-Ch 500V 18.5A TO220-3
на замовлення 960 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 215.67 грн |
| 10+ | 105.01 грн |
| 100+ | 82.41 грн |
| 500+ | 63.62 грн |
| 1000+ | 58.87 грн |
| IPP50R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 221.01 грн |
| 123+ | 118.89 грн |
| 125+ | 117.69 грн |
| 135+ | 104.54 грн |
| 500+ | 67.72 грн |
| IPP50R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 222.82 грн |
| 10+ | 119.85 грн |
| 50+ | 118.65 грн |
| 100+ | 105.39 грн |
| 500+ | 68.28 грн |
| IPP50R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 246.29 грн |
| 10+ | 124.07 грн |
| 50+ | 122.82 грн |
| 100+ | 108.39 грн |
| 500+ | 61.27 грн |
| IPP50R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







