IPP50R190CEXKSA1 Infineon
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TIPP50r190ce
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 70.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP50R190CEXKSA1 Infineon
Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP50R190CEXKSA1 за ціною від 55.15 грн до 171.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP50R190CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP50R190CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP50R190CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP50R190CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP50R190CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 500V 18.5A TO220-3 |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP50R190CEXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP50R190CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP50R190CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |