IPP50R199CPXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.58 грн |
| 50+ | 198.34 грн |
| 100+ | 170.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP50R199CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP50R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CP, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP50R199CPXKSA1 за ціною від 99.83 грн до 277.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP50R199CPXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP50R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CP productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP50R199CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 |
на замовлення 474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP50R199CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPP50R199CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |