IPP50R280CEXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 151+ | 93.29 грн |
| 180+ | 78.19 грн |
| 500+ | 68.31 грн |
| 1000+ | 53.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP50R280CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP50R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP50R280CEXKSA1 за ціною від 44.61 грн до 110.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP50R280CEXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP50R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP50R280CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 132+ | 106.54 грн |
| 142+ | 99.05 грн |
| 169+ | 83.48 грн |
| 200+ | 76.09 грн |
| IPP50R280CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.30 грн |
| 50+ | 50.00 грн |
| 100+ | 44.61 грн |
| IPP50R280CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 110.08 грн |
| 10+ | 93.81 грн |
| 100+ | 78.63 грн |
| 500+ | 66.22 грн |
| 1000+ | 49.82 грн |
| IPP50R280CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP50R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP50R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





