IPP50R280CEXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP50R280CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP50R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP50R280CEXKSA1 за ціною від 40.08 грн до 147.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP50R280CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP50R280CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP50R280CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP50R280CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP50R280CEXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP50R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP50R280CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP50R280CEXKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IPP50R280CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET COOL MOS |
товару немає в наявності |