
IPP50R380CE Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
127+ | 96.36 грн |
133+ | 92.04 грн |
250+ | 88.36 грн |
500+ | 82.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP50R380CE Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V, Power Dissipation (Max): 98W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP50R380CE за ціною від 29.65 грн до 103.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP50R380CE | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP50R380CE | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |