Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP50R380CEXKSA1
IPP50R380CEXKSA1

IPP50R380CEXKSA1 Infineon Technologies

82706944233800dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e39841.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 70500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+63.89 грн
31000+47.87 грн
46500+42.94 грн
62000+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP50R380CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP50R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 98W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP50R380CEXKSA1 за ціною від 31.13 грн до 109.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 Infineon Technologies IPx50R380CE_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432e398416012e5273936c15b0 Description: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.06 грн
50+45.54 грн
100+42.35 грн
500+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R380CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.11 грн
6+69.02 грн
10+61.19 грн
50+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 Infineon Technologies 82706944233800dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e39841.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+109.58 грн
209+67.25 грн
212+66.40 грн
500+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP50R380CE_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002262830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP50R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPx50R380CE_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432e398416012e5273936c15b0
IPP50R380CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.06 грн
50+45.54 грн
100+42.35 грн
500+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CE-DTE.pdf
IPP50R380CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.11 грн
6+69.02 грн
10+61.19 грн
50+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 82706944233800dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e39841.pdf
IPP50R380CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
129+109.58 грн
209+67.25 грн
212+66.40 грн
500+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 Infineon_IPP50R380CE_DS_v02_02_EN.pdf
IPP50R380CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 INFN-S-A0002262830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP50R380CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP50R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.