IPP50R380CEXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.08 грн |
| 50+ | 46.91 грн |
| 100+ | 43.62 грн |
| 500+ | 32.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP50R380CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V, Power Dissipation (Max): 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP50R380CEXKSA1 за ціною від 26.92 грн до 106.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP50R380CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9.9A Power dissipation: 73W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3 |
на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPP50R380CEXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 104.16 грн |
| 6+ | 71.10 грн |
| 10+ | 63.04 грн |
| 50+ | 48.36 грн |
| IPP50R380CEXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3
MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.08 грн |
| 10+ | 49.61 грн |
| 100+ | 40.10 грн |
| 500+ | 31.36 грн |
| 1000+ | 28.83 грн |
| 2500+ | 27.21 грн |
| 5000+ | 26.92 грн |