IPP50R500CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


Infineon-IPP50R500CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d429958596d9f Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R500CEXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP50R500CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP50R500CEXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP50R500CEXKSA1 IPP50R500CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP50R500CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d429958596d9f Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R500CEXKSA1 IPP50R500CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP50R500CE_DS_v02_03_EN-2399649.pdf MOSFET COOL MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.