IPP50R520CP Infineon Technologies
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 40.57 грн |
| 311+ | 39.26 грн |
| 312+ | 39.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP50R520CP Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP50R520CP за ціною від 50.50 грн до 50.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP50R520CP | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V |
на замовлення 8144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| IPP50R520CP | Виробник : INF |
TO-220 |
на замовлення 46000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |