IPP530N15N3GXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPP530N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 195.59 грн |
| 10+ | 175.79 грн |
| 100+ | 141.12 грн |
| 500+ | 107.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP530N15N3GXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP530N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IPP530N15N3GXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP530N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3 |
товару немає в наявності |