IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 108+ | 131.67 грн |
| 109+ | 130.34 грн |
| 110+ | 129.04 грн |
| 500+ | 115.98 грн |
| 1000+ | 100.61 грн |
| 2000+ | 93.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP600N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Інші пропозиції IPP600N25N3GXKSA1 за ціною від 71.64 грн до 344.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP600N25N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A Power dissipation: 136W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 141 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 6200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPP600N25N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP600N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP600N25N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 132.00 грн |
| 50+ | 130.67 грн |
| 100+ | 129.37 грн |
| 500+ | 116.27 грн |
| 1000+ | 100.87 грн |
| 2000+ | 94.00 грн |
| IPP600N25N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 191.81 грн |
| IPP600N25N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 216.08 грн |
| 10+ | 169.14 грн |
| IPP600N25N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 234.02 грн |
| 50+ | 112.60 грн |
| 100+ | 101.66 грн |
| 500+ | 77.42 грн |
| 1000+ | 71.64 грн |
| IPP600N25N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 239.67 грн |
| 71+ | 201.23 грн |
| 100+ | 171.55 грн |
| 500+ | 150.09 грн |
| 1000+ | 116.80 грн |
| IPP600N25N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 254.58 грн |
| 71+ | 199.89 грн |
| 100+ | 160.16 грн |
| IPP600N25N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 344.16 грн |
| 54+ | 262.83 грн |
| 62+ | 228.65 грн |
| 100+ | 210.26 грн |
| 200+ | 193.63 грн |
| 500+ | 170.73 грн |
| IPP600N25N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP600N25N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP600N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IPP600N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








