IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 9780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4+ | 94.22 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP600N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції IPP600N25N3GXKSA1 за ціною від 73.86 грн до 300.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        IPP600N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube         | 
        
                             на замовлення 5112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        IPP600N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube         | 
        
                             на замовлення 5115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        IPP600N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube         | 
        
                             на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        IPP600N25N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES | 
            
                         Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 60mΩ Drain current: 25A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 136W Drain-source voltage: 250V  | 
        
                             на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        IPP600N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube         | 
        
                             на замовлення 6200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        IPP600N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V  | 
        
                             на замовлення 6155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        IPP600N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube         | 
        
                             на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        IPP600N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         MOSFETs N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3         | 
        
                             на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        IPP600N25N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES | 
            
                         Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 60mΩ Drain current: 25A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 136W Drain-source voltage: 250V кількість в упаковці: 1 шт  | 
        
                             на замовлення 92 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        IPP600N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube         | 
        
                             на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        IPP600N25N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON | 
            
                         Description: INFINEON - IPP600N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)  | 
        
                             на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        |||||||||||||||
                      | 
        IPP600N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||||
                      | 
        IPP600N25N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        






