Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP60R022S7XKSA1

IPP60R022S7XKSA1

Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d
Код товару: 187155
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP60R022S7XKSA1 за ціною від 629.72 грн до 629.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 375A
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+629.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R022S7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 INFINEON 3092710.pdf Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d
IPP60R022S7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 375A
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+629.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 Infineon_IPP60R022S7_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPP60R022S7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 3092710.pdf
IPP60R022S7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.