Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP60R022S7XKSA1

IPP60R022S7XKSA1

Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d
Код товару: 187155
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP60R022S7XKSA1 за ціною від 348.32 грн до 848.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 390W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 375A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+635.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.86 грн
10+568.01 грн
50+461.57 грн
100+401.05 грн
500+348.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies infineon_ipp60r022s7_datasheet_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 INFINEON 3092710.pdf Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d
IPP60R022S7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 390W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 375A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+635.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d
IPP60R022S7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+848.86 грн
10+568.01 грн
50+461.57 грн
100+401.05 грн
500+348.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 infineon_ipp60r022s7_datasheet_en.pdf
IPP60R022S7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 3092710.pdf
IPP60R022S7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.