IPP60R022S7XKSA1


Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d
Код товару: 187155
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP60R022S7XKSA1 за ціною від 294.16 грн до 902.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+646.61 грн
10+351.88 грн
100+296.94 грн
500+294.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+686.89 грн
50+369.33 грн
100+341.23 грн
500+300.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp60r022s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+760.99 грн
20+722.84 грн
50+637.26 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Виробник : INFINEON 3092710.pdf Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+902.17 грн
5+703.40 грн
10+504.63 грн
50+466.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp60r022s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp60r022s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.