Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R022S7XKSA1
IPP60R022S7XKSA1

IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp60r022s7-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+606.15 грн
22+575.31 грн
50+558.27 грн
100+537.55 грн
200+496.28 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP60R022S7XKSA1 за ціною від 322.03 грн до 808.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+724.82 грн
50+382.29 грн
100+364.19 грн
500+322.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Виробник : INFINEON 3092710.pdf Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+765.66 грн
5+711.33 грн
10+656.17 грн
50+396.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP60R022S7_DataSheet_v02_01_EN-3362535.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+808.28 грн
10+702.20 грн
25+399.25 грн
100+375.03 грн
250+374.29 грн
500+367.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1
Код товару: 187155
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r022s7-datasheet-v02_01-en.pdf SP003393028
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r022s7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r022s7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 375A
Case: TO220
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 375A
Case: TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.