Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP60R022S7XKSA1

IPP60R022S7XKSA1

Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d
Код товару: 187155
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP60R022S7XKSA1 за ціною від 298.14 грн до 914.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+655.37 грн
10+356.64 грн
100+300.96 грн
500+298.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+696.19 грн
50+374.33 грн
100+345.85 грн
500+304.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 INFINEON 3092710.pdf Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+914.39 грн
5+712.93 грн
10+511.47 грн
50+472.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPP60R022S7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+655.37 грн
10+356.64 грн
100+300.96 грн
500+298.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d
IPP60R022S7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+696.19 грн
50+374.33 грн
100+345.85 грн
500+304.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 3092710.pdf
IPP60R022S7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+914.39 грн
5+712.93 грн
10+511.47 грн
50+472.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.