
IPP60R037CM8XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 288.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R037CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP60R037CM8XKSA1 за ціною від 221.10 грн до 510.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP60R037CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R037CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R037CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R037CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R037CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPP60R037CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R037CM8XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R037CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IPP60R037CM8XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |