Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R037CM8XKSA1
IPP60R037CM8XKSA1

IPP60R037CM8XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp60r037cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 70A Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+428.73 грн
10+375.46 грн
25+356.77 грн
50+323.32 грн
100+278.79 грн
250+262.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R037CM8XKSA1 Infineon Technologies

Description: IPP60R037CM8XKSA1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPP60R037CM8XKSA1 за ціною від 224.96 грн до 507.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R037CM8XKSA1 IPP60R037CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r037cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 70A Tube
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+443.05 грн
32+387.87 грн
50+289.68 грн
100+259.78 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R037CM8XKSA1 IPP60R037CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r037cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 70A Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+461.71 грн
31+404.34 грн
32+384.22 грн
50+348.19 грн
100+300.23 грн
250+283.01 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R037CM8XKSA1 IPP60R037CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IPP60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.76 грн
50+341.12 грн
100+307.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R037CM8XKSA1 IPP60R037CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP60R037CM8_DataSheet_v02_02_EN-3445918.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+507.96 грн
10+420.59 грн
100+299.70 грн
500+254.71 грн
1000+224.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R037CM8XKSA1 IPP60R037CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r037cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 70A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R037CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r037cm8-datasheet-v02_02-en.pdf MOSFET Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.