IPP60R040C7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 530.33 грн |
| 50+ | 525.00 грн |
| 100+ | 504.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R040C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm.
Інші пропозиції IPP60R040C7XKSA1 за ціною від 337.00 грн до 1173.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPP60R040C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP60R040C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 609.69 грн |
| 50+ | 600.33 грн |
| 100+ | 565.89 грн |
| IPP60R040C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 609.69 грн |
| 50+ | 600.33 грн |
| 100+ | 565.89 грн |
| IPP60R040C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 620.50 грн |
| 100+ | 590.06 грн |
| 500+ | 558.45 грн |
| 1000+ | 509.15 грн |
| IPP60R040C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 758.75 грн |
| 29000+ | 706.98 грн |
| 43500+ | 667.76 грн |
| IPP60R040C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 830.54 грн |
| 50+ | 449.94 грн |
| 100+ | 416.29 грн |
| 500+ | 337.00 грн |
| IPP60R040C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1173.93 грн |
| 50+ | 660.43 грн |
| 100+ | 634.42 грн |
| IPP60R040C7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
Description: INFINEON - IPP60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP60R040C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)