IPP60R040S7XKSA1

IPP60R040S7XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ipp60r040s7-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+405.28 грн
10+ 374.13 грн
25+ 356.96 грн
100+ 325.92 грн
250+ 294.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R040S7XKSA1 Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW PG-TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V.

Інші пропозиції IPP60R040S7XKSA1 за ціною від 273.05 грн до 562.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP60R040S7XKSA1 IPP60R040S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r040s7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+436.45 грн
30+ 402.91 грн
31+ 384.42 грн
100+ 350.99 грн
250+ 317.05 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPP60R040S7XKSA1 IPP60R040S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP60R040S7_DataSheet_v02_01_EN-3007164.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+562.35 грн
10+ 474.47 грн
25+ 374.53 грн
100+ 343.82 грн
250+ 323.79 грн
500+ 303.76 грн
1000+ 273.05 грн
IPP60R040S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r040s7-datasheet-v02_01-en.pdf SP005559297
товар відсутній
IPP60R040S7XKSA1 IPP60R040S7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP60R040S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06f46b39204f Description: HIGH POWER_NEW PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
товар відсутній