IPP60R060P7XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 310.03 грн |
| 10+ | 198.32 грн |
| 100+ | 193.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R060P7XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 164W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPP60R060P7XKSA1 за ціною від 153.34 грн до 471.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP60R060P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R060P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 164W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R060P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R060P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
IPP60R060P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |


