IPP60R060P7XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 314.94 грн |
| 10+ | 201.46 грн |
| 100+ | 196.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R060P7XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 164W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPP60R060P7XKSA1 за ціною від 155.77 грн до 479.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 164W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP60R060P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 322.28 грн |
| 10+ | 242.61 грн |
| IPP60R060P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 386.95 грн |
| 50+ | 196.16 грн |
| 100+ | 179.13 грн |
| IPP60R060P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 479.40 грн |
| 10+ | 309.63 грн |
| 100+ | 201.58 грн |
| 500+ | 171.27 грн |
| 1000+ | 155.77 грн |
| IPP60R060P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)