Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R065S7XKSA1
IPP60R065S7XKSA1

IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp60r065s7-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+243.52 грн
500+230.64 грн
1000+217.76 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R065S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm.

Інші пропозиції IPP60R065S7XKSA1 за ціною від 195.80 грн до 445.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R065S7XKSA1 IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r065s7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+323.31 грн
4000+296.86 грн
6000+277.66 грн
8000+253.88 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R065S7XKSA1 IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0716f5d329d7 Description: HIGH POWER_NEW PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.66 грн
50+216.13 грн
100+197.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R065S7XKSA1 IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r065s7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.07 грн
10+251.57 грн
25+247.08 грн
50+235.90 грн
100+206.05 грн
250+195.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R065S7XKSA1 IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r065s7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+445.07 грн
56+251.57 грн
57+247.08 грн
58+235.90 грн
100+206.05 грн
250+195.80 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R065S7XKSA1 IPP60R065S7XKSA1 INFINEON 3770284.pdf Description: INFINEON - IPP60R065S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R065S7XKSA1 IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R065S7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R065S7XKSA1 infineon-ipp60r065s7-datasheet-v02_01-en.pdf
IPP60R065S7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+323.31 грн
4000+296.86 грн
6000+277.66 грн
8000+253.88 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R065S7XKSA1 Infineon-IPP60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0716f5d329d7
IPP60R065S7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+425.66 грн
50+216.13 грн
100+197.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R065S7XKSA1 infineon-ipp60r065s7-datasheet-v02_01-en.pdf
IPP60R065S7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+445.07 грн
10+251.57 грн
25+247.08 грн
50+235.90 грн
100+206.05 грн
250+195.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R065S7XKSA1 infineon-ipp60r065s7-datasheet-v02_01-en.pdf
IPP60R065S7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+445.07 грн
56+251.57 грн
57+247.08 грн
58+235.90 грн
100+206.05 грн
250+195.80 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R065S7XKSA1 3770284.pdf
IPP60R065S7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R065S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R065S7XKSA1 Infineon_IPP60R065S7_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPP60R065S7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.