IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 77+ | 159.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R065S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP60R065S7XKSA1 за ціною від 129.46 грн до 401.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP60R065S7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP60R065S7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP60R065S7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP60R065S7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP60R065S7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP60R065S7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R065S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPP60R065S7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005559298 |
товару немає в наявності |