Інші пропозиції IPP60R080P7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R080P7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3 Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 129W Polarisation: unipolar Gate charge: 51nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IPP60R080P7 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW |
товар відсутній |
|
|
|
IPP60R080P7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3 Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 129W Polarisation: unipolar Gate charge: 51nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
товар відсутній |