Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP60R080P7

IPP60R080P7

Код товару: 152121
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP60R080P7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R080P7 IPP60R080P7 Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R080P7 IPP60R080P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R080P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 129W
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R080P7
IPP60R080P7
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R080P7 IPP60R080P7.pdf
IPP60R080P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 129W
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.