Інші пропозиції IPP60R080P7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP60R080P7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 129W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPP60R080P7 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPP60R080P7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 129W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |