Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R080P7XKSA1
IPP60R080P7XKSA1

IPP60R080P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp60r080p7-ds-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+203.87 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R080P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 129W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPP60R080P7XKSA1 за ціною від 138.71 грн до 398.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R080P7XKSA1 IPP60R080P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP60R080P7_DS_v02_01_EN-3362699.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.15 грн
10+363.76 грн
25+182.01 грн
100+165.86 грн
500+138.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R080P7XKSA1 IPP60R080P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r080p7-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R080P7XKSA1 IPP60R080P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r080p7-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R080P7XKSA1 IPP60R080P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP60R080P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015accfa82cc0266 Description: MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.