IPP60R090CFD7XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPP60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 375.42 грн |
| 10+ | 285.68 грн |
| 100+ | 199.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R090CFD7XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP60R090CFD7XKSA1 за ціною від 149.72 грн до 462.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R090CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP60R090CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP60R090CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPP60R090CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 4V; 90mOhm; 25A; 125W; -50°C ~ 150°C; Substitute: IPP60R090CFD7XKSA1; IPP60R090CFD7 INFINEON TIPP60r090cfd7 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IPP60R090CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPP60R090CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPP60R090CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |