Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R099C6XKSA1
IPP60R099C6XKSA1

IPP60R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPP60R099C6-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+297.13 грн
10+252.26 грн
20+248.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPP60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 278W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm.

Інші пропозиції IPP60R099C6XKSA1 за ціною від 187.79 грн до 586.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R099C6XKSA1 IPP60R099C6XKSA1 Infineon Technologies 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.17 грн
50+312.06 грн
100+288.84 грн
500+252.92 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 IPP60R099C6XKSA1 Infineon Technologies IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.93 грн
10+329.28 грн
50+260.74 грн
100+224.01 грн
500+187.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 IPP60R099C6XKSA1 Infineon Technologies 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+584.82 грн
45+315.20 грн
50+312.15 грн
100+278.50 грн
500+238.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 IPP60R099C6XKSA1 Infineon Technologies 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.86 грн
10+316.30 грн
50+313.24 грн
100+279.47 грн
500+239.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 IPP60R099C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf
IPP60R099C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+315.17 грн
50+312.06 грн
100+288.84 грн
500+252.92 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e
IPP60R099C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+507.93 грн
10+329.28 грн
50+260.74 грн
100+224.01 грн
500+187.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf
IPP60R099C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+584.82 грн
45+315.20 грн
50+312.15 грн
100+278.50 грн
500+238.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf
IPP60R099C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+586.86 грн
10+316.30 грн
50+313.24 грн
100+279.47 грн
500+239.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 INFN-S-A0004583373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.