IPP60R099C6XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPP60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.09 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 429.82 грн |
| 10+ | 359.81 грн |
| 100+ | 299.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R099C6XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.09 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP60R099C6XKSA1 за ціною від 178.97 грн до 511.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R099C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP60R099C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP60R099C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP60R099C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPP60R099C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPP60R099C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPP60R099C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPP60R099C6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP60R099C6XKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IPP60R099C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6 |
товару немає в наявності |