Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R099C7XKSA1
IPP60R099C7XKSA1

IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies

177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+309.39 грн
10+255.62 грн
100+237.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm.

Інші пропозиції IPP60R099C7XKSA1 за ціною від 192.85 грн до 441.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+309.39 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+376.74 грн
10+281.87 грн
100+254.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+376.74 грн
51+281.87 грн
100+254.03 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+386.69 грн
51+283.31 грн
100+253.74 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+388.05 грн
10+284.30 грн
100+254.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+393.42 грн
49+289.48 грн
100+266.53 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d481216877004 Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.13 грн
10+284.56 грн
50+224.75 грн
100+192.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies infineon_ipp60r099c7_ds_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001299515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf
IPP60R099C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+309.39 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf
IPP60R099C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+376.74 грн
10+281.87 грн
100+254.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf
IPP60R099C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+376.74 грн
51+281.87 грн
100+254.03 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf
IPP60R099C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+386.69 грн
51+283.31 грн
100+253.74 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf
IPP60R099C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+388.05 грн
10+284.30 грн
100+254.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf
IPP60R099C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+393.42 грн
49+289.48 грн
100+266.53 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 Infineon-IPP60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d481216877004
IPP60R099C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+441.13 грн
10+284.56 грн
50+224.75 грн
100+192.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 infineon_ipp60r099c7_ds_en.pdf
IPP60R099C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C7XKSA1 INFN-S-A0001299515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R099C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.