IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 308.02 грн |
| 10+ | 254.49 грн |
| 100+ | 236.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm.
Інші пропозиції IPP60R099C7XKSA1 за ціною від 196.45 грн до 449.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPP60R099C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.099 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP60R099C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 308.02 грн |
| IPP60R099C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 375.07 грн |
| 10+ | 280.62 грн |
| 100+ | 252.90 грн |
| IPP60R099C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 375.07 грн |
| 51+ | 280.62 грн |
| 100+ | 252.90 грн |
| IPP60R099C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 384.98 грн |
| 51+ | 282.05 грн |
| 100+ | 252.61 грн |
| IPP60R099C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 386.32 грн |
| 10+ | 283.04 грн |
| 100+ | 253.50 грн |
| IPP60R099C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 391.67 грн |
| 49+ | 288.20 грн |
| 100+ | 265.34 грн |
| IPP60R099C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 449.38 грн |
| 10+ | 289.89 грн |
| 50+ | 228.95 грн |
| 100+ | 196.45 грн |
| IPP60R099C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP60R099C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
Description: INFINEON - IPP60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






