
IPP60R099CPAAKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
57+ | 406.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R099CPAAKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPP60R099CPAAKSA1 за ціною від 372.41 грн до 777.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP60R099CPAAKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R099CPAAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R099CPAAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R099CPAAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R099CPAAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R099CPAAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R099CPAAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IPP60R099CPAAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IPP60R099CPAAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IPP60R099CPAAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |