IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 409.25 грн |
| 100+ | 388.54 грн |
| 500+ | 367.84 грн |
| 1000+ | 335.91 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
90 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R099CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 255W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm.
Інші пропозиції IPP60R099CPXKSA1 за ціною від 237.23 грн до 875.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R099CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 255W Case: PG-TO220-3-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 111 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP |
на замовлення 5 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R099CPXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R099CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 255W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 435.36 грн |
| IPP60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 475.34 грн |
| 3+ | 326.17 грн |
| 9+ | 308.38 грн |
| 25+ | 296.52 грн |
| IPP60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 557.12 грн |
| IPP60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 606.52 грн |
| 10+ | 395.88 грн |
| 50+ | 315.40 грн |
| 100+ | 271.70 грн |
| IPP60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 613.11 грн |
| 10+ | 368.65 грн |
| 100+ | 260.51 грн |
| 500+ | 237.23 грн |
| IPP60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 650.41 грн |
| 10+ | 374.07 грн |
| 50+ | 370.27 грн |
| 100+ | 331.02 грн |
| IPP60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 650.41 грн |
| 40+ | 374.07 грн |
| 50+ | 370.27 грн |
| 100+ | 331.02 грн |
| IPP60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 875.61 грн |
| 10+ | 593.44 грн |
| 50+ | 472.78 грн |
| 100+ | 418.49 грн |
| 500+ | 330.95 грн |
| IPP60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R099CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
Description: INFINEON - IPP60R099CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)