IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 421.05 грн |
| 50+ | 251.47 грн |
| 100+ | 241.85 грн |
| 500+ | 188.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IPP60R099CPXKSA1 за ціною від 212.86 грн до 477.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R099CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 255W Case: PG-TO220-3-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPP60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 444.04 грн |
| 10+ | 296.94 грн |
| IPP60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 477.75 грн |
| 10+ | 268.29 грн |
| 100+ | 214.27 грн |
| 500+ | 212.86 грн |