IPP60R099P6XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 207.93 грн |
| 1000+ | 205.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R099P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 278W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm.
Інші пропозиції IPP60R099P6XKSA1 за ціною від 205.68 грн до 439.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPP60R099P6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 278W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP60R099P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 207.93 грн |
| 1000+ | 205.68 грн |
| IPP60R099P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 439.23 грн |
| 10+ | 397.26 грн |
| 25+ | 222.26 грн |
| IPP60R099P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 439.23 грн |
| 36+ | 397.26 грн |
| 64+ | 222.26 грн |
| IPP60R099P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP60R099P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





