IPP60R099P7 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 336.52 грн |
| 3+ | 280.82 грн |
| 10+ | 265.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R099P7 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 20A, Power dissipation: 117W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 99mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPP60R099P7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R099P7 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|
 |
IPP60R099P7 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |