IPP60R099P7

IPP60R099P7 INFINEON TECHNOLOGIES


IPP60R099P7.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+303.31 грн
3+ 253.14 грн
4+ 243.4 грн
10+ 230.19 грн
50+ 221.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R099P7 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 20A, Power dissipation: 117W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 99mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IPP60R099P7 за ціною від 266.21 грн до 363.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP60R099P7 IPP60R099P7 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R099P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+363.98 грн
3+ 315.45 грн
4+ 292.08 грн
10+ 276.22 грн
50+ 266.21 грн
IPP60R099P7 IPP60R099P7 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1979a00e4aaa Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IPP60R099P7 IPP60R099P7 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP60R099P7_DS_v02_01_EN-3362817.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
товар відсутній