Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R099P7XKSA1
IPP60R099P7XKSA1

IPP60R099P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp60r099p7-ds-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
190+184.98 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R099P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 117W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm.

Інші пропозиції IPP60R099P7XKSA1 за ціною від 113.39 грн до 346.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R099P7XKSA1 IPP60R099P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r099p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.18 грн
72+197.57 грн
100+183.58 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7XKSA1 IPP60R099P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r099p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.11 грн
100+193.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7XKSA1 IPP60R099P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1979a00e4aaa Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.38 грн
50+172.35 грн
100+156.81 грн
500+121.60 грн
1000+113.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7XKSA1 IPP60R099P7XKSA1 INFINEON 2609448.pdf Description: INFINEON - IPP60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 117W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7XKSA1 IPP60R099P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R099P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7XKSA1 infineon-ipp60r099p7-ds-v02_01-en.pdf
IPP60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+200.18 грн
72+197.57 грн
100+183.58 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7XKSA1 infineon-ipp60r099p7-ds-v02_01-en.pdf
IPP60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+206.11 грн
100+193.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7XKSA1 Infineon-IPP60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1979a00e4aaa
IPP60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+346.38 грн
50+172.35 грн
100+156.81 грн
500+121.60 грн
1000+113.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7XKSA1 2609448.pdf
IPP60R099P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 117W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7XKSA1 Infineon_IPP60R099P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPP60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.