Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R120C7XKSA1
IPP60R120C7XKSA1

IPP60R120C7XKSA1 Infineon Technologies

4307infineon-ipp60r120c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462518ffd850151a4.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+224.44 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R120C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.103 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 92W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm.

Інші пропозиції IPP60R120C7XKSA1 за ціною від 132.84 грн до 373.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R120C7XKSA1 IPP60R120C7XKSA1 Infineon Technologies 4307infineon-ipp60r120c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462518ffd850151a4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+224.44 грн
500+212.62 грн
1000+200.81 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120C7XKSA1 IPP60R120C7XKSA1 Infineon Technologies 4307infineon-ipp60r120c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462518ffd850151a4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.31 грн
100+209.07 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120C7XKSA1 IPP60R120C7XKSA1 Infineon Technologies 4307infineon-ipp60r120c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462518ffd850151a4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.54 грн
50+226.31 грн
100+209.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120C7XKSA1 IPP60R120C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R120C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a4fa44c90ed3 Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.56 грн
50+187.46 грн
100+170.78 грн
500+132.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120C7XKSA1 IPP60R120C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R120C7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120C7XKSA1 IPP60R120C7XKSA1 INFINEON 2849755.pdf Description: INFINEON - IPP60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.103 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120C7XKSA1 Infineon Infineon-IPP60R120C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a4fa44c90ed3
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120C7XKSA1 4307infineon-ipp60r120c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462518ffd850151a4.pdf
IPP60R120C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+224.44 грн
500+212.62 грн
1000+200.81 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120C7XKSA1 4307infineon-ipp60r120c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462518ffd850151a4.pdf
IPP60R120C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+226.31 грн
100+209.07 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120C7XKSA1 4307infineon-ipp60r120c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462518ffd850151a4.pdf
IPP60R120C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+228.54 грн
50+226.31 грн
100+209.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120C7XKSA1 Infineon-IPP60R120C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a4fa44c90ed3
IPP60R120C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+373.56 грн
50+187.46 грн
100+170.78 грн
500+132.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120C7XKSA1 Infineon_IPP60R120C7_DS_v02_00_EN.pdf
IPP60R120C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120C7XKSA1 2849755.pdf
IPP60R120C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.103 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120C7XKSA1 Infineon-IPP60R120C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a4fa44c90ed3
Виробник: Infineon
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.