IPP60R120C7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 158+ | 231.42 грн |
| 500+ | 219.24 грн |
| 1000+ | 207.06 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
158 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R120C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.103 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 92W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm.
Інші пропозиції IPP60R120C7XKSA1 за ціною від 130.82 грн до 408.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 583 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R120C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.103 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 92W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP60R120C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 158+ | 231.42 грн |
| IPP60R120C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 233.35 грн |
| 100+ | 215.58 грн |
| IPP60R120C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 236.85 грн |
| 50+ | 234.53 грн |
| 100+ | 216.70 грн |
| IPP60R120C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 62+ | 236.85 грн |
| 63+ | 234.53 грн |
| 100+ | 216.70 грн |
| IPP60R120C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 368.01 грн |
| 10+ | 235.62 грн |
| 50+ | 184.59 грн |
| 100+ | 157.82 грн |
| 500+ | 130.82 грн |
| IPP60R120C7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 583 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 408.81 грн |
| 10+ | 210.02 грн |
| 100+ | 166.30 грн |
| 500+ | 138.09 грн |
| IPP60R120C7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.103 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
Description: INFINEON - IPP60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.103 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)