IPP60R120P7 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V, 0.12OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R120P7 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 16A, Power dissipation: 95W, Case: PG-TO220-3, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Technology: CoolMOS™ P7, Kind of package: tube, Gate-source voltage: ±20V.
Інші пропозиції IPP60R120P7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R120P7 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |
|
 |
IPP60R120P7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 95W Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ P7 Kind of package: tube Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |