IPP60R120P7 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: 600V, 0.12OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R120P7 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 16A, Power dissipation: 95W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPP60R120P7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R120P7 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |
|
 |
IPP60R120P7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 95W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |