IPP60R120P7 Infineon Technologies


Infineon-IPP60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acd0f0fdf074f Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V, 0.12OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R120P7 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Kind of package: tube, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.12Ω, Drain current: 16A, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 95W, Technology: CoolMOS™ P7, Drain-source voltage: 600V, Case: PG-TO220-3.

Інші пропозиції IPP60R120P7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R120P7 IPP60R120P7 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1752E50D38749&compId=IPP60R120P7.pdf?ci_sign=db5d6da5af7792cb5fe3e97f682fefdab165ae7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 95W
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.