IPP60R125C6

IPP60R125C6 Infineon Technologies


Infineon_IPx60R125C6_DS_v02_03_EN-3362960.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 30A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.39 грн
10+379.87 грн
25+195.69 грн
100+180.98 грн
250+180.24 грн
500+156.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R125C6 Infineon Technologies

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 219W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP60R125C6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R125C6 IPP60R125C6 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0004583435-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.