Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R125C6XKSA1
IPP60R125C6XKSA1

IPP60R125C6XKSA1 Infineon Technologies

2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+247.51 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R125C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R125C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 219W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.

Інші пропозиції IPP60R125C6XKSA1 за ціною від 185.20 грн до 402.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R125C6XKSA1 IPP60R125C6XKSA1 Infineon Technologies 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+247.51 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 IPP60R125C6XKSA1 Infineon Technologies 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+247.51 грн
500+234.55 грн
1000+221.58 грн
10000+201.17 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 IPP60R125C6XKSA1 Infineon Technologies 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+262.09 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 IPP60R125C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPx60R125C6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01235b1ae8fc4910 Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.18 грн
50+203.00 грн
100+185.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 IPP60R125C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R125C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 219W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 IPP60R125C6XKSA1 Infineon Technologies 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf
IPP60R125C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+247.51 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf
IPP60R125C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+247.51 грн
500+234.55 грн
1000+221.58 грн
10000+201.17 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf
IPP60R125C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+262.09 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 Infineon-IPx60R125C6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01235b1ae8fc4910
IPP60R125C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+402.18 грн
50+203.00 грн
100+185.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 INFN-S-A0004583435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R125C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R125C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 219W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf
IPP60R125C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.