Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R125CPXKSA1
IPP60R125CPXKSA1

IPP60R125CPXKSA1 Infineon Technologies

infineonipp60r125cpdsv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+284.68 грн
500+270.51 грн
1000+255.15 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R125CPXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R125CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 208W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.

Інші пропозиції IPP60R125CPXKSA1 за ціною від 148.32 грн до 447.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r125cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+284.68 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r125cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+284.68 грн
500+270.51 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r125cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.67 грн
50+294.63 грн
100+272.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r125cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+298.28 грн
50+295.25 грн
100+272.71 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R125CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+439.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R125CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c0e59465d Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.34 грн
50+227.97 грн
100+208.41 грн
500+163.42 грн
1000+153.11 грн
2000+148.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 INFINEON INFNS15863-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R125CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 infineonipp60r125cpdsv0202en.pdf
IPP60R125CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+284.68 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 infineonipp60r125cpdsv0202en.pdf
IPP60R125CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+284.68 грн
500+270.51 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 infineonipp60r125cpdsv0202en.pdf
IPP60R125CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+297.67 грн
50+294.63 грн
100+272.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 infineonipp60r125cpdsv0202en.pdf
IPP60R125CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+298.28 грн
50+295.25 грн
100+272.71 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CP-DTE.pdf
IPP60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+439.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c0e59465d
IPP60R125CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+447.34 грн
50+227.97 грн
100+208.41 грн
500+163.42 грн
1000+153.11 грн
2000+148.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 INFNS15863-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R125CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.