
IPP60R125CPXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 203.34 грн |
50+ | 201.35 грн |
100+ | 188.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R125CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R125CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP60R125CPXKSA1 за ціною від 141.84 грн до 774.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R125CPXKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R125CPXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V |
на замовлення 3578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R125CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 208W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R125CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 208W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IPP60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IPP60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IPP60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |