Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R125P6XKSA1
IPP60R125P6XKSA1

IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies

53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+119.31 грн
10+115.33 грн
100+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R125P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.113 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 219W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm.

Інші пропозиції IPP60R125P6XKSA1 за ціною від 115.46 грн до 448.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.57 грн
123+115.46 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+205.08 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R125P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+303.59 грн
10+168.31 грн
25+152.56 грн
50+141.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+448.78 грн
10+279.41 грн
100+247.07 грн
500+178.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+448.78 грн
51+279.41 грн
100+247.07 грн
500+178.68 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPX60R125P6_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 INFINEON INFNS30506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R125P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.113 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 219W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPP60R125P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
119+119.57 грн
123+115.46 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPP60R125P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
173+205.08 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6-DTE.pdf
IPP60R125P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.59 грн
10+168.31 грн
25+152.56 грн
50+141.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPP60R125P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+448.78 грн
10+279.41 грн
100+247.07 грн
500+178.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
IPP60R125P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+448.78 грн
51+279.41 грн
100+247.07 грн
500+178.68 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 Infineon_IPX60R125P6_DS_v02_00_en.pdf
IPP60R125P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 INFNS30506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R125P6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R125P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.113 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 219W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.