IPP60R125P6XKSA1

IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IPX60R125P6_DS_v02_00_en-1227344.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 508 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+349.72 грн
10+ 290.21 грн
25+ 154.89 грн
100+ 152.22 грн
250+ 150.88 грн
500+ 148.88 грн
1000+ 145.54 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R125P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.113 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 219W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm.

Інші пропозиції IPP60R125P6XKSA1 за ціною від 181.24 грн до 441.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Виробник : INFINEON INFNS30506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R125P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.113 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+380.45 грн
10+ 193.97 грн
100+ 181.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+441.72 грн
32+ 374.44 грн
50+ 284.73 грн
100+ 273.62 грн
200+ 238.55 грн
500+ 201.43 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R125P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
товар відсутній
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R125P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній