Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP60R160P6XKSA1 Транзистор

IPP60R160P6XKSA1 Транзистор

Код товару: 224123
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP60R160P6XKSA1 Транзистор за ціною від 83.10 грн до 299.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.02 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R160P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.56 грн
5+144.59 грн
10+136.28 грн
25+126.31 грн
50+118.83 грн
100+106.36 грн
500+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.82 грн
500+168.92 грн
1000+155.92 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+297.66 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 INFINEON INFNS28171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+163.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+164.02 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6-DTE.pdf
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+182.56 грн
5+144.59 грн
10+136.28 грн
25+126.31 грн
50+118.83 грн
100+106.36 грн
500+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+187.82 грн
500+168.92 грн
1000+155.92 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+297.66 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+299.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 INFNS28171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.