Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R160P6XKSA1
IPP60R160P6XKSA1

IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
116+122.92 грн
117+121.68 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 176W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm.

Інші пропозиції IPP60R160P6XKSA1 за ціною від 92.39 грн до 250.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.03 грн
50+121.79 грн
100+116.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R160P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P6
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.65 грн
5+115.38 грн
10+109.44 грн
25+105.20 грн
50+100.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.80 грн
89+160.15 грн
100+147.53 грн
500+129.61 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.15 грн
500+161.47 грн
1000+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 INFINEON INFNS28171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.80 грн
10+151.30 грн
100+120.06 грн
500+92.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+123.03 грн
50+121.79 грн
100+116.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6-DTE.pdf
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P6
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+130.65 грн
5+115.38 грн
10+109.44 грн
25+105.20 грн
50+100.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
88+161.80 грн
89+160.15 грн
100+147.53 грн
500+129.61 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
198+179.15 грн
500+161.47 грн
1000+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 INFNS28171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+250.80 грн
10+151.30 грн
100+120.06 грн
500+92.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.