Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R160P7XKSA1
IPP60R160P7XKSA1

IPP60R160P7XKSA1 Infineon Technologies

infineonipp60r160p7dsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+156.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R160P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R160P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 81W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.

Інші пропозиції IPP60R160P7XKSA1 за ціною від 76.87 грн до 232.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R160P7XKSA1 IPP60R160P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r160p7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.21 грн
50+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P7XKSA1 IPP60R160P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R160P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b4871d114ab0 Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1317 pF @ 400 V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.47 грн
50+111.78 грн
100+100.92 грн
500+76.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P7XKSA1 IPP60R160P7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP60R160P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b4871d114ab0 Description: INFINEON - IPP60R160P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P7XKSA1 IPP60R160P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r160p7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P7XKSA1 infineonipp60r160p7dsv0200en.pdf
IPP60R160P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+158.21 грн
50+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P7XKSA1 Infineon-IPP60R160P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b4871d114ab0
IPP60R160P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1317 pF @ 400 V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.47 грн
50+111.78 грн
100+100.92 грн
500+76.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P7XKSA1 Infineon-IPP60R160P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b4871d114ab0
IPP60R160P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R160P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P7XKSA1 infineonipp60r160p7dsv0200en.pdf
IPP60R160P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.