
IPP60R165CP Infineon Technologies
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 351.04 грн |
10+ | 259.73 грн |
25+ | 200.84 грн |
100+ | 175.09 грн |
250+ | 161.11 грн |
500+ | 148.61 грн |
1000+ | 139.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R165CP Infineon Technologies
Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP60R165CP
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IPP60R165CP | Виробник : Infineon technologies |
![]() |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IPP60R165CP Код товару: 86977
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||
![]() |
IPP60R165CP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |