Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R165CP

IPP60R165CP Infineon Technologies

Name: IPP60R165CP
Brand: Infineon Technologies
SKU: 136596-4
Price: 364.34 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	364.34 грн
10+	237.36 грн
100+	164.97 грн
500+	138.88 грн
1000+	122.77 грн
2500+	118.16 грн
5000+	115.86 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPP60R165CP Infineon Technologies

Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP60R165CP

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPP60R165CP	Виробник : Infineon technologies		на замовлення 196 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IPP60R165CP Код товару: 86977 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > Польові N-канальні	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP60R165CP	Виробник : Infineon Technologies	Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.