Інші пропозиції IPP60R165CP за ціною від 105.01 грн до 330.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R165CP | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPP60R165CP | Виробник : Infineon technologies |
|
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IPP60R165CP | Виробник : Infineon Technologies |
Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |