IPP60R165CP

IPP60R165CP Infineon Technologies


Infineon_IPP60R165CP_DS_v02_02_en-1227265.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.04 грн
10+259.73 грн
25+200.84 грн
100+175.09 грн
250+161.11 грн
500+148.61 грн
1000+139.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R165CP Infineon Technologies

Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP60R165CP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R165CP Виробник : Infineon technologies INFNS15864-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R165CP
Код товару: 86977
Додати до обраних Обраний товар

INFNS15864-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R165CP IPP60R165CP Виробник : Infineon Technologies INFNS15864-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.