Інші пропозиції IPP60R180C7XKSA1 за ціною від 62.37 грн до 245.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |




