Інші пропозиції IPP60R180C7XKSA1 за ціною від 134.47 грн до 265.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 68W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 441 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP60R180C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 134.47 грн |
| IPP60R180C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 155.63 грн |
| 50+ | 154.06 грн |
| 100+ | 141.76 грн |
| IPP60R180C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 155.63 грн |
| 92+ | 154.06 грн |
| 100+ | 141.76 грн |
| IPP60R180C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 233.05 грн |
| 3+ | 184.06 грн |
| 5+ | 181.58 грн |
| IPP60R180C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 265.02 грн |
| IPP60R180C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP60R180C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
Description: INFINEON - IPP60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP60R180C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP60R180C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







